在做直流無刷電機(jī)控制時，調(diào)試時電機(jī)剛啟動，就出現(xiàn)燒MOS管，同時也會燒毀單片機(jī)的現(xiàn)象？本文將舉例說明其原因。

R2110是浮地驅(qū)動芯片，高端驅(qū)動利用浮地電容中的電荷驅(qū)動，只能驅(qū)動電壓驅(qū)動功率管，如MOSFET或IGBT。

上圖有兩個問題：1、浮地電容太大，影響快速開關(guān)；2、高端驅(qū)動利用的是浮地電容中的電荷，選取電容時要使用漏電流小的瓷片電容，盡量保證高端驅(qū)動時有足夠的驅(qū)動電壓。上圖在每個高端MOSFET 的柵極和源極之間10K的電阻將迅速將電容中的電荷放光，使得柵極驅(qū)動電壓下降。在柵極驅(qū)動電壓下降的過程中，MOSFET進(jìn)入放大區(qū)，管壓降迅速增加， 將MOSFET燒毀;至于燒單片機(jī)，是因為沒有將強(qiáng)電部分和控制部分隔離，燒毀MOS管的同時，高壓信號串入控制板，除非功率部分不出故障，否則燒壞單片機(jī)是不可避免的。

每個MOSFET的柵源極之間反向并聯(lián)的18V穩(wěn)壓二極管很好,可以避免尖峰電壓脈沖擊穿柵源極，但是與之并聯(lián)10K的電阻將驅(qū)動電荷給放掉了 (結(jié)合IR2110的內(nèi)部原理圖分析)，而且在此過程中使得MOS管進(jìn)入放大區(qū)導(dǎo)致過熱燒毀，可以把這個電阻去掉試試看；另外如果采用IGBT，推薦使用IRF的600V產(chǎn)品，耐壓和電流余量放大些，在2110的VCC和COM之間靠近2110處再接一個4.7微法的獨(dú)石電容，驅(qū)動信號如果是TTL電平，那么就將VDD接5V電源，以保證驅(qū)動信號兼容TTL電平。

總結(jié)：例圖里面出現(xiàn)了幾個致命的問題：

1)PWM千萬別用廉價MCU軟件產(chǎn)生，因為上電過程和死機(jī)狀態(tài)根本無法確定；

2)D3/D4/D6/D7改成10BQ040，1N4148在這其實(shí)是添亂；

3)Q2的D到Q5的S和Q3的D到Q6的S接CBB18/630V/224的電容，千萬不可改變；

4)建議換掉仙童的FET，主要是該公司的元件分散性太差，做單管的電源還可以，做其它的太難用；

5)去掉RCD吸收；

6)每半橋的兩FET間要近；

7)濾波電容必須靠FET安裝,間距必須小于5CM；

8)注意散熱。