在做直流無刷電機控制時，調試時電機剛啟動，就出現燒MOS管，同時也會燒毀單片機的現象？本文將舉例說明其原因。
R2110是浮地驅動芯片，高端驅動利用浮地電容中的電荷驅動，只能驅動電壓驅動功率管，如MOSFET或IGBT。
上圖有兩個問題：1、浮地電容太大，影響快速開關；2、高端驅動利用的是浮地電容中的電荷，選取電容時要使用漏電流小的瓷片電容，盡量保證高端驅動時有足夠的驅動電壓。上圖在每個高端MOSFET 的柵極和源極之間10K的電阻將迅速將電容中的電荷放光，使得柵極驅動電壓下降。在柵極驅動電壓下降的過程中，MOSFET進入放大區，管壓降迅速增加， 將MOSFET燒毀;至于燒單片機，是因為沒有將強電部分和控制部分隔離，燒毀MOS管的同時，高壓信號串入控制板，除非功率部分不出故障，否則燒壞單片機是不可避免的。
每個MOSFET的柵源極之間反向并聯的18V穩壓二極管很好,可以避免尖峰電壓脈沖擊穿柵源極，但是與之并聯10K的電阻將驅動電荷給放掉了 (結合IR2110的內部原理圖分析)，而且在此過程中使得MOS管進入放大區導致過熱燒毀，可以把這個電阻去掉試試看；另外如果采用IGBT，推薦使用IRF的600V產品，耐壓和電流余量放大些，在2110的VCC和COM之間靠近2110處再接一個4.7微法的獨石電容，驅動信號如果是TTL電平，那么就將VDD接5V電源，以保證驅動信號兼容TTL電平。
總結：例圖里面出現了幾個致命的問題：
1)PWM千萬別用廉價MCU軟件產生，因為上電過程和死機狀態根本無法確定；
2)D3/D4/D6/D7改成10BQ040，1N4148在這其實是添亂；
3)Q2的D到Q5的S和Q3的D到Q6的S接CBB18/630V/224的電容，千萬不可改變；
4)建議換掉仙童的FET，主要是該公司的元件分散性太差，做單管的電源還可以，做其它的太難用；
5)去掉RCD吸收；
6)每半橋的兩FET間要近；
7)濾波電容必須靠FET安裝,間距必須小于5CM；
8)注意散熱。
