目前英特爾已經解決了大部分的實際問題，芯片的能耗、封裝以及性能等因素已經被英特爾牢牢握在手中。這些優勢紛紛體現在英特爾的新產品Broadwell酷睿M當中，更小的封裝工藝、性能的提高、每周期執行的指令數量以及更低的熱設計功耗。

在提升的各項指標當中，更低的發熱量將是英特爾能否順利進入智能手機及平板電腦市場的關鍵。因為的體積小、低發熱量的CPU有助于催生更輕薄的設備。對于移動設備廠商來說，降低設備厚度是它們優先考慮的一個問題，這有助于提高設備的便攜性。多年來，英特爾還一直在采取措施降低GPU閑置期間的能耗。

高通方面，由于采用了20納米工藝，驍龍810的制程工藝要稍稍落后于采用14納米工藝的Broadwell酷睿M，而在圖形處理方面，英特爾的設計可能不如高通優秀。但是在CPU方面，即使英特爾的設計略有遜色，但更高的晶體管密度、每周期執行的指令的增加，將提供足夠高的性能，使英特爾在明年與高通的競爭中不會落于下風。

根據相關爆料，驍龍810的性能將全面超越之前的驍龍805，性能將全面提升25%-55%，但是能耗卻降低了將近20%。驍龍810配置全新的Adreno 430 GPU，性能比Adreno 420提高30%。Adreno 430是Adreno 420的后續產品，性能的提升主要來自制造工藝由28納米提升為20納米。高通計劃通過更多的內核性能和能耗降低與英特爾競爭。

并且在調制解調器方面，高通依舊領先于英特爾，高通的Gobi 9x35在性能上要優于英特爾的XMM 7260。所以這方面的優勢使得高通不會在英特爾不斷進步的工藝前完全認輸。高通在CPU中增添更多內核的臨時解決方案不夠“節能”，但會提升性能。

因特爾的Broadwell酷睿M在工藝和性能上修復了很多在Haswell當中出現的缺陷，在工藝上取得了長足的進步，與此同時高通也擁有極佳的CPU/GPU/調制解調器解決方案，以及能夠添加NFC的半定制設計。但是這一優勢并不會一直持續下去，隨著英特爾推出第二代FinFET芯片，英特爾會獲得更多的時間用于開發更好的CPU/GPU/調制解調器設計，逐步減小與高通之間的差距，所以超過高通或許只是時間問題。