目前英特爾已經(jīng)解決了大部分的實(shí)際問題，芯片的能耗、封裝以及性能等因素已經(jīng)被英特爾牢牢握在手中。這些優(yōu)勢(shì)紛紛體現(xiàn)在英特爾的新產(chǎn)品Broadwell酷睿M當(dāng)中，更小的封裝工藝、性能的提高、每周期執(zhí)行的指令數(shù)量以及更低的熱設(shè)計(jì)功耗。
在提升的各項(xiàng)指標(biāo)當(dāng)中，更低的發(fā)熱量將是英特爾能否順利進(jìn)入智能手機(jī)及平板電腦市場(chǎng)的關(guān)鍵。因?yàn)榈捏w積小、低發(fā)熱量的CPU有助于催生更輕薄的設(shè)備。對(duì)于移動(dòng)設(shè)備廠商來說，降低設(shè)備厚度是它們優(yōu)先考慮的一個(gè)問題，這有助于提高設(shè)備的便攜性。多年來，英特爾還一直在采取措施降低GPU閑置期間的能耗。
高通方面，由于采用了20納米工藝，驍龍810的制程工藝要稍稍落后于采用14納米工藝的Broadwell酷睿M，而在圖形處理方面，英特爾的設(shè)計(jì)可能不如高通優(yōu)秀。但是在CPU方面，即使英特爾的設(shè)計(jì)略有遜色，但更高的晶體管密度、每周期執(zhí)行的指令的增加，將提供足夠高的性能，使英特爾在明年與高通的競(jìng)爭(zhēng)中不會(huì)落于下風(fēng)。
根據(jù)相關(guān)爆料，驍龍810的性能將全面超越之前的驍龍805，性能將全面提升25%-55%，但是能耗卻降低了將近20%。驍龍810配置全新的Adreno 430 GPU，性能比Adreno 420提高30%。Adreno 430是Adreno 420的后續(xù)產(chǎn)品，性能的提升主要來自制造工藝由28納米提升為20納米。高通計(jì)劃通過更多的內(nèi)核性能和能耗降低與英特爾競(jìng)爭(zhēng)。
并且在調(diào)制解調(diào)器方面，高通依舊領(lǐng)先于英特爾，高通的Gobi 9x35在性能上要優(yōu)于英特爾的XMM 7260。所以這方面的優(yōu)勢(shì)使得高通不會(huì)在英特爾不斷進(jìn)步的工藝前完全認(rèn)輸。高通在CPU中增添更多內(nèi)核的臨時(shí)解決方案不夠“節(jié)能”，但會(huì)提升性能。
因特爾的Broadwell酷睿M在工藝和性能上修復(fù)了很多在Haswell當(dāng)中出現(xiàn)的缺陷，在工藝上取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，與此同時(shí)高通也擁有極佳的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器解決方案，以及能夠添加NFC的半定制設(shè)計(jì)。但是這一優(yōu)勢(shì)并不會(huì)一直持續(xù)下去，隨著英特爾推出第二代FinFET芯片，英特爾會(huì)獲得更多的時(shí)間用于開發(fā)更好的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器設(shè)計(jì)，逐步減小與高通之間的差距，所以超過高通或許只是時(shí)間問題。
