據(jù)悉，臺(tái)積電助海思半導(dǎo)體成功產(chǎn)出全球首顆16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)通處理器，這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾逼迫下取得壓倒性勝利。

此外，臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺(tái)積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。

臺(tái)積電的這項(xiàng)成就，是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露，針對(duì)臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)(tape-out)后，點(diǎn)出臺(tái)積電在16納米FinFET的重要成果。

臺(tái)積電為海思成功產(chǎn)出的全球首顆以16納米生產(chǎn)、功能完備的網(wǎng)通處理器，等于宣告海思具備可以提供自家集團(tuán)華為的核心處理器。

華為目前是向英特爾采購(gòu)以22納米制程的網(wǎng)通處理器，臺(tái)積電與海思的合作，也代表中國(guó)大陸已具備自主生產(chǎn)高端網(wǎng)通處理器的地位，對(duì)英特爾帶來一定程度的威脅。

對(duì)臺(tái)積電而言，臺(tái)積電也用實(shí)例，向英特爾證明臺(tái)積電16納米FinFET制程，并未如先前英特爾唱衰在芯片閘密度比英特爾還低30%，臺(tái)積電不但在20納米就已超越英特爾，16納米FinFET更大幅領(lǐng)先。

此外，面對(duì)三星先前一直強(qiáng)調(diào)16納米FinFET遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先臺(tái)積電，臺(tái)積電率先提出產(chǎn)出成功案例，回?fù)羧堑目谒畱?zhàn)，等于左打英特爾，右踢三星，臺(tái)積電有信心在16納米FinFET會(huì)取得壓倒性勝利。

就半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力，著重看的是晶體管效能、芯片金屬層連結(jié)及芯片閘密度，而后兩者臺(tái)積電均已超過英特爾，一旦臺(tái)積電兩年內(nèi)在晶體管效能追平英特爾，臺(tái)積電將正式躍居全球半導(dǎo)體新霸主地位，為臺(tái)灣締造史無前例的歷史地位。