隨著越來越多的無線標準和頻帶支持越來越多的應用，意法半導體開始支持市場對高性能和高集成度的需求。意法半導體新推出的STW81200 射頻合成器采用BiCMOS (SiGe) 制造技術，單片集成寬帶壓控振蕩器 (VCOs, voltage-controlled oscillators) 、雙架構分數整數鎖相環 (PLL, phase-locked-loop) 內核、低噪穩壓器，以及符合各種射頻要求的可編程硬件選件。
在基站、射頻鏈接、衛星、通信、測試測量等射頻應用中，系統的總體性能與射頻合成器相噪特性密切相關。這些射頻應用需要高集成度和優化的成本，同時又不能犧牲射頻性能。在滿足這些要求過程中，作為市場上靈活性最高的射頻合成器，STW81200支持多頻多標準且可軟件定義的50MHz到6GHz射頻輸出，同時提供 -227 dBc/Hz歸一化帶內相噪層，當通信載波為4.0GHz、頻率偏移1MHz時，壓控振蕩器相噪為 -135 dBc/Hz，噪聲層為-160 dBc/Hz。
5V、3.6V或3.0V非穩壓單電源讓STW81200在市場上獨一無二，優調的功耗和性能使其應用范圍從傳統市電供電基礎設施擴展至依靠電池供電的便攜裝置。
隨著意法半導體的STW8110x產品家族的成功發展，新款的射頻合成器的性能和靈活性越來越高，可以在同一電路板設計上支持多頻帶和多射頻標準(logistic)。此外，更高的集成度和降低的材料成本有望為客戶節省更多資源。
STW81200穩健的設計符合射頻基礎設施用例的要求。
STW81200現在已進入產能提升階段。
