在如今的芯片制造領域中，英特爾算是能夠擠進前三排名的公司之一。雖然其他的廠商正在大力的發展3D FinFET技術，試圖與因特爾相抗衡，但是卻還沒有一家能夠做到真正對英特爾產生威脅。而目前，這一現象似乎要被IBM所打破了。
根據相關爆料，IBM很有可能將在2014年的年底將14納米的技術正式投產到芯片生產過程中。另外，IBM還會還會透露其高密度的存儲器、可擴展的功率分配以及600平方厘米的SoC。但是現在不確定的是這些技術是否將依賴于三星。
大部分人都清楚，當某個行業的兩家龍頭企業產生競爭的時候，受益最大的往往是市場中的消費者。目前英特爾正努力開發其最新的FinFET設計，而IBM的兩大FinFET技術選擇可能更容易吸引用戶。
既然是比較相似的產品，兩家公司各自的競爭力又在哪里呢?這就要從IBM和英特爾的發展戰略方向上說起了。英特爾還是一貫性的使用傳統塊狀硅來支持其努力FinFET設計，這也可以使其在2-4年內在競爭對手中保持領先。從2011年開始，英特爾已經在22nm Ivy Bridge技術和Haswell微架構處理器中使用FinFET制程。最近英特爾還宣布其成功移植FinFET技術到14nm Broadwell微架構，這是最新的Core M處理器系列的核心。
而IBM方面則使用了造價較為高昂的SOI基板來研發相關芯片。這樣可以簡化制造過程，而且可以實現芯片的低功耗性能。不過英特爾這面也不示弱，將揭秘其加工“秘方”，包括參雜技術。
不走尋常路的IBM
基于更為昂貴的SOI板，IBM將創造一種全新的14納米制程方法。并且此款14nm FinFET比22nm的處理速度快25%。與此同時，IBM也會展示全球最小、最密集的DRAM單元，僅僅只有0.0174平方厘米大小。IBM還擁有獨有的制程，可同時實現低功耗和高速運行功能。該公司還會在此次競爭中大肆炫耀其15級銅互連技術來促進功率分配，這些都會成為IBM與英特爾之爭的有力因素。
將技術實體化至產品上，那么此次PK戰的看點就比較明顯了。英特爾將主打基于14納米技術的FinFET晶體管，而IBM將祭出造價更為高昂的SOI板，來為自家的產品保駕護航。在戰前的前期宣傳中，兩家公司都在展示著各種各樣的數據，但是真正能夠考驗一款產品的，恐怕還是上市之后的實際使用效果和消費者的反應。
