芯片生產(chǎn)技術(shù)正在不斷革新和積累，到了今年，似乎迎來了芯片產(chǎn)業(yè)的集中爆發(fā)，很多半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始尋求合并以及替代性技術(shù)。各種關(guān)于合并和產(chǎn)業(yè)重組的話題也不斷地被人們擺上桌面。

在2014年，發(fā)生在全世界的芯片公司收購案已經(jīng)達(dá)到了23筆，比去年兩年的總和都要多。摩根士丹利公司半導(dǎo)體投資銀行全球負(fù)責(zé)人Mark Edelstone透露。他同時(shí)預(yù)測今年的全球并購交易總值很可能從174億美元增加到近300億美元。“情況真的是破記錄了。”他指出，并提到了至今較大的整合案例——英飛凌和國際整流器公司以及安華高和LSI公司。“這個(gè)趨勢將繼續(xù)，今后幾年將是非常繁忙的并購時(shí)期。”

圖1：2014年發(fā)生的半導(dǎo)體并購交易量已經(jīng)超過過去兩年的總和。

較低的資本成本正在所有行業(yè)掀起并購浪潮，而制造芯片成本和復(fù)雜性的上升助推了半導(dǎo)體行業(yè)的并購。制造一個(gè)20nm芯片的成本需要5300萬美元，制造28nm芯片的成本是3600萬美元，到16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)成本還將出現(xiàn)質(zhì)的飛躍，Edelstone表示。

“在這樣的投資規(guī)模下要想賺錢需要非常大的市場，這對半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展將帶來巨大的影響。到16/14 nm的FinFET時(shí)代，每個(gè)門的成本還將上升，這將顯著地改變半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀——事實(shí)表明，規(guī)模決定成敗。”

多位發(fā)言人一致認(rèn)為單個(gè)晶體管的成本在整個(gè)行業(yè)中還在不斷上升。不過Intel公司在今年9月份透露，其14nm FinFET工藝將支持更低的晶體管成本。14/16nm FinFET節(jié)點(diǎn)代表了今后發(fā)展的主流方向，但完全耗盡型和特薄絕緣硅工藝也有機(jī)會(huì)。

一些對成本敏感的移動(dòng)芯片因?yàn)槌杀驹驎?huì)避免采用14nm和10nm FinFET節(jié)點(diǎn)，而且時(shí)間可能長達(dá)4至6年。絕緣硅（SOI）提供了另外一種替代方案，它可以達(dá)到20nm塊晶體管的性能，成本則接近28nm聚合物晶體管，不過他認(rèn)為在市場壓力下所有塊晶體管成本還會(huì)進(jìn)一步下降。

Mendicino預(yù)計(jì)絕緣硅替代技術(shù)在今后三年中可能占據(jù)10%的代工業(yè)務(wù)份額，不過他強(qiáng)調(diào)這只是猜測。在一次單獨(dú)的交談中，聯(lián)發(fā)科公司高性能處理器技術(shù)總監(jiān)Alice Wang介紹了亞閾值設(shè)計(jì)的例子。他們的雄心壯志是推動(dòng)芯片達(dá)到漏電流和動(dòng)態(tài)能量交匯的最小能量點(diǎn)，這是在她的博士論文和ISSCC 2004論文中提出的一個(gè)概念。

工程師們已經(jīng)向這個(gè)艱巨的目標(biāo)努力了近一年。他們接下來面臨的挑戰(zhàn)，是提供仍然能夠完成有意義的工作、可靠并且具有最小開銷的芯片，Alice指出。

大規(guī)模并行架構(gòu)可以幫助提供超低功耗芯片在媒體處理任務(wù)中有所作為所需的性能。時(shí)序收斂方面的新方法與新工具可以解決一些可靠性和開銷問題，她表示。

“我認(rèn)為現(xiàn)在是超低電壓（ULV）成為我們?nèi)粘Ｉ钜徊糠值臅r(shí)候了。”她在提到發(fā)展中市場出現(xiàn)的可佩戴和設(shè)計(jì)問題時(shí)指出。“世界上還有大約13億人還沒有電力供應(yīng)……因此能量是新興市場面臨的真正關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。”

圖2：下一代絕緣硅能以28nm聚合物晶體管的價(jià)格提供20nm的性能。

此次大會(huì)的組織者Zvi Or-Bach特別提到了會(huì)議期間舉辦的兩次小組討論會(huì)，會(huì)中討論了如何擴(kuò)展目前正在最新閃存芯片中采用的單片3D設(shè)計(jì)種類。

在其中一個(gè)討論會(huì)中，來自CEA-Leti公司和意法半導(dǎo)體公司的研究人員介紹了單片3D集成技術(shù)，這是應(yīng)對2D芯片縮放不斷上升的成本而開發(fā)的一種替代性技術(shù)。他們在一個(gè)FPGA案例研究中發(fā)現(xiàn)，這種技術(shù)與傳統(tǒng)堆棧結(jié)構(gòu)相比可以減小55%的面積。

單片3D集成技術(shù)旨在按上下順序一個(gè)接一個(gè)地處理晶體管。然而，其實(shí)現(xiàn)面臨著許多挑戰(zhàn)，比如能夠在溫度低于600℃的情況下實(shí)現(xiàn)高性能的頂部晶體管、以便在頂部堆棧式FET制造過程中防止底部FET出現(xiàn)性能劣化……固定相位外延再生長已證明其效率包含600℃左右的熱預(yù)算，而且向下變化時(shí)也有望具有高效率。

另外，EV Group和尼康公司代表分享了用于綁定和對準(zhǔn)系統(tǒng)的新功能細(xì)節(jié)，它們能夠避免當(dāng)前3D芯片堆棧中使用的硅通孔的高成本和高復(fù)雜性。EV Group公司介紹了綁定對準(zhǔn)精度為200nm或以下的一個(gè)演示例子。Nikon介紹了一種新的EGA精密晶圓綁定技術(shù)，“它可以獲得好于250nm的穩(wěn)定度和更高對準(zhǔn)精度……可以用來制造未來的3D IC，如DRAM、MPU和圖像傳感器。”

全球芯片技術(shù)的加速發(fā)展對國產(chǎn)的芯片廠商形成了壓力，這種壓力是正面的，能夠促進(jìn)國產(chǎn)芯片廠商的發(fā)展和我國芯片技術(shù)的積累，2014年即將過去，在2015年當(dāng)中，國產(chǎn)芯片將有怎樣的表現(xiàn)？大家拭目以待。