今年是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整并及尋找替代技術(shù)創(chuàng)記錄的一年，日前，于美國加州舉行的IEEES3S大會(huì)上，雖然晶片制造成本與復(fù)雜度逐年提升，但多數(shù)工程師竟然掌握了更多關(guān)于絕緣覆矽(SOI)、次閾值電壓設(shè)計(jì)與單晶片3D整合等相關(guān)技術(shù)，同時(shí)也聽說產(chǎn)業(yè)重組與整并的幾起傳聞。
截至目前為止，今年全球半導(dǎo)體公司已經(jīng)完成了23筆收購交易了，這比起過去兩年的交易數(shù)總和還更多，摩根士丹利(MorganStanley)半導(dǎo)體投資銀行全球負(fù)責(zé)人MarkEdelstone在發(fā)表專題演講時(shí)透露。他同時(shí)預(yù)測(cè)今年的全球并購交易總值可能從174億美元增加到近300億美元。
資金成本較低正為所有的產(chǎn)業(yè)掀起并購浪潮，而晶片制造成本和復(fù)雜度的增加更助長(zhǎng)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的并購。目前制造一個(gè)20nm晶片的成本約需5,300萬美元，較制造28nm晶片成本所需的3，600萬美元更大幅提高，預(yù)計(jì)到了16/14nm節(jié)點(diǎn)時(shí)還將出現(xiàn)另一次躍升的高成本。
要在這樣的投資環(huán)境下賺錢，真的需要非常大的市場(chǎng)，而且還會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來巨大的影響。到了16/14nmFinFET世代，每閘極成本仍持續(xù)地攀升，這將顯著地改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀——事實(shí)是：規(guī)模決定成敗。如今在整個(gè)產(chǎn)業(yè)中，每電晶體成本仍不斷上升中。不過，英特爾(Intel)在今年9月時(shí)透露，其14nmFinFET制程將可支援更低的每電晶體成本。
14/16nmFinFET制程節(jié)點(diǎn)象征著產(chǎn)業(yè)今后發(fā)展的主流方向，但完全耗盡型(FD)和極薄的SOI制程也有機(jī)會(huì)。 有些對(duì)成本敏感的行動(dòng)晶片由于考慮到成本將會(huì)避免采用14nm和10nmFinFET制程，而且時(shí)間可能長(zhǎng)達(dá)4至6年。SOI可說是為其提供了另一種替代方案，它能以接近28nm聚合物電晶體的成本，達(dá)到20nmbulk電晶體的性能，不過他認(rèn)為在市場(chǎng)壓力下所有的bulk電晶體成本還會(huì)進(jìn)一步下降。
此外，聯(lián)發(fā)科(Mediatek)介紹了一個(gè)次閾值設(shè)計(jì)案例，該公司遠(yuǎn)大目標(biāo)在于推動(dòng)晶片達(dá)到漏電流和動(dòng)態(tài)能量交會(huì)的最小能量點(diǎn)，這同時(shí)也是在她的博士論文和ISSCC2004論文中提出的一個(gè)概念。
