中國(guó)，2015年7月23日——意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開(kāi)關(guān)（hard-switching）電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效
采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型（trench-gate field-stop）低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵（trench gate）和特殊設(shè)計(jì)的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間找到了最佳平衡點(diǎn)，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150℃初始高結(jié)溫時(shí)，最小短路耐受時(shí)間為6μs，175℃最大工作結(jié)溫及寬安全工作范圍有助于延長(zhǎng)元器件的使用壽命，同時(shí)提高對(duì)功率耗散有極高要求的應(yīng)用可靠性。
此外，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續(xù)流二極管（Free-wheeling Diode）。新二極管提供快速恢復(fù)功能，并同時(shí)保持低正向壓降和高恢復(fù)軟度。這項(xiàng)設(shè)計(jì)不僅可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的EMI保護(hù)功能，同時(shí)可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗。正VCE（sat）溫度系數(shù)，結(jié)合緊密的參數(shù)分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián)，并滿(mǎn)足更大功率的要求。
M系列產(chǎn)品的主要特性：
· 650V IGBT，大部分競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品為600V；
· 低VCE（sat） （1.55V @25℃）電壓，能夠最大限度降低導(dǎo)通損耗；
· 出色的穩(wěn)健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無(wú)閂鎖現(xiàn)象（latch-free operation）；
· 業(yè)內(nèi)最佳的Etot - Vce（sat）平衡比；
· 175℃最大工作結(jié)溫；
· 高溫短路耐受時(shí)間最短6μs；
· 電壓過(guò)沖有限，確保關(guān)斷期間無(wú)振蕩；
最新發(fā)布的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長(zhǎng)腳封裝，與意法半導(dǎo)體針對(duì)高頻工業(yè)應(yīng)用研發(fā)的HB系列650V IGBT（高達(dá)60 kHz）相互補(bǔ)充。新產(chǎn)品已開(kāi)始量產(chǎn)。
