ROHM旗下公司開發(fā)出NOR Flash存儲器

    2016-04-12 14:59 來源:電子信息網(wǎng) 作者:Bamboo

    ROHM集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor公司(藍(lán)碧石半導(dǎo)體)開發(fā)出128Mbit NOR Flash存儲器“MR29V12852B”,該產(chǎn)品非常適用于對品質(zhì)有高要求的車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。

    Flash存儲器根據(jù)存儲數(shù)據(jù)的存儲單元的排列形式不同而分為NAND型和NOR型兩種。NAND型的特征是每比特的價格相對便宜,多用作手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼音響等保存數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存儲介質(zhì);NOR型的特征是存儲數(shù)據(jù)的可靠性高,多用作品質(zhì)要求高的車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備等保存固件的存儲介質(zhì)。

    包括Flash存儲器在內(nèi)的非易失性存儲器,毋庸置疑會有偶發(fā)數(shù)據(jù)錯誤的可能性。尤其在品質(zhì)要求高的車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備中,為了系統(tǒng)的穩(wěn)定工作,必須采取有效預(yù)防這種數(shù)據(jù)錯誤引發(fā)的程序誤運(yùn)行或誤停止的措施。

    本LSI作為128Mb NOR Flash存儲器,業(yè)界首次內(nèi)置糾錯碼電路和輸出驅(qū)動能力調(diào)整電路,通過替換現(xiàn)有存儲器,可輕松且以低成本實現(xiàn)系統(tǒng)上的數(shù)據(jù)錯誤對策。該產(chǎn)品非常適用于品質(zhì)要求高的車載設(shè)備和工業(yè)設(shè)備,有助于系統(tǒng)的穩(wěn)定工作和降低成本。

    現(xiàn)在,樣品已開始出售,電路設(shè)計、測試程序設(shè)計、評估等Flash存儲器開發(fā)在藍(lán)碧石半導(dǎo)體(新橫濱技術(shù)中心)實施,生產(chǎn)將委托海外合作伙伴Fab實施,預(yù)計于2016年11月開始投入量產(chǎn)并批量銷售。

    今后,藍(lán)碧石半導(dǎo)體還會繼續(xù)完善NOR Flash存儲器的產(chǎn)品陣容,滿足品質(zhì)要求高的客戶需求。

    <背景>

    Flash存儲器的數(shù)據(jù)錯誤原因中,包括引起存儲器讀取數(shù)據(jù)錯誤(誤碼)、信號延遲及波形失真的數(shù)據(jù)交換時產(chǎn)生的電磁噪聲(輻射干擾)等。Flash存儲器的數(shù)據(jù)錯誤會引起Flash存儲器與其控制器間的數(shù)據(jù)通信錯誤,從而影響系統(tǒng)的可靠性。要想打造可靠性高的系統(tǒng),需要在PCB板設(shè)計、零部件配置及其評估過程中考慮減少誤碼的誤碼糾正功能及對外圍電路的噪音干擾對策。藍(lán)碧石半導(dǎo)體開發(fā)出的NOR Flash存儲器,內(nèi)置有糾錯碼電路與作為PCB板上輻射干擾對策的驅(qū)動能力調(diào)整電路,而且與其他公司產(chǎn)品具有兼容性,無需改變當(dāng)前系統(tǒng)的結(jié)構(gòu),僅需替換現(xiàn)有存儲器即可輕松實現(xiàn)系統(tǒng)的穩(wěn)定工作。

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    <新產(chǎn)品詳情>

    1.僅需替換現(xiàn)有產(chǎn)品,即可輕松增加誤碼糾正功能

    一直以來,系統(tǒng)要具備誤碼糾正功能,需要在現(xiàn)有存儲器產(chǎn)品的基礎(chǔ)上增加糾錯碼電路和糾錯碼用的奇偶校驗位存儲器。本LSI通過內(nèi)置糾錯碼電路和糾錯碼用奇偶校驗位Flash存儲器作為誤碼對策,客戶無需新增所需元器件即可增加誤碼糾正功能。另外,還與一般的NOR Flash存儲器產(chǎn)品具有兼容性。因此,替換為本LSI非常容易,無需在當(dāng)前系統(tǒng)增加零部件即可建立具有誤碼糾正功能的系統(tǒng)。

    使用本LSI,效果因系統(tǒng)的規(guī)模、所采用的糾錯碼電路結(jié)構(gòu)而異,但僅在當(dāng)前系統(tǒng)上將現(xiàn)有產(chǎn)品替換為本LSI,預(yù)計按單純的零部件增加成本比較,即可節(jié)約5%(*)左右的成本。

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    2.內(nèi)置輸出驅(qū)動能力調(diào)整功能,減少輻射干擾

    本LSI為了減少NOR Flash工作時產(chǎn)生的PCB板上輻射干擾,并改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,搭載了用來改變數(shù)據(jù)輸出時的電流驅(qū)動能力的輸出驅(qū)動能力調(diào)整電路。不僅可根據(jù)客戶系統(tǒng)結(jié)構(gòu)優(yōu)化電流驅(qū)動能力,還可減少輻射干擾對策用配件、阻尼電阻配件及安裝成本。另外,輸出驅(qū)動能力調(diào)整電路在產(chǎn)品出貨時即以固定規(guī)格提供給客戶,因此客戶僅需使用現(xiàn)有的Flash控制器即可調(diào)整輸出驅(qū)動能力。

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    (*):藍(lán)碧石半導(dǎo)體調(diào)查數(shù)據(jù)

    【規(guī)格概要】

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    【銷售計劃】

    -產(chǎn)品名稱:MR29V12852B

    -樣品出售時間:2016年3月

    -樣品價格(參考):750日元(不含稅)

    -量產(chǎn)銷售計劃:2016年11月

    -量產(chǎn)數(shù)量:月產(chǎn)50萬個

    【應(yīng)用領(lǐng)域】

    所有車載信息終端、所有工業(yè)設(shè)備、各種家電設(shè)備

    ROHM NOR Flash存儲器 MR29V12852B

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