VisIC Technologies推出新一代產(chǎn)品

    2016-06-06 09:17 來源:美通社 作者:Bamboo

    VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高級低損耗開關(guān)V22S65A(配有內(nèi)部碳化硅二極管)和V22N65A(不配有內(nèi)部碳化硅二極管)。

    這一新版VisIC高級低損耗開關(guān)產(chǎn)品系列可以顯著減少米勒效應(yīng)(MILLER effect),支持輕松提供將被用于基于VisIC的設(shè)計的標準驅(qū)動電路。這些新設(shè)備還能幫助降低關(guān)于特殊應(yīng)用所用材料的費用。

    新一代高級低損耗開關(guān)
    新一代高級低損耗開關(guān)

    V22系列在拓撲方面非常有效,能被用于零電壓開關(guān)(Zero Voltage Switching)或零電流開關(guān)(Zero Current Switching)拓撲領(lǐng)域。在650伏氮化鎵/碳化硅MOSFET晶體管中,該系列擁有最低的導通電阻(Rdson),而且可以憑借超過100V/nS的壓擺率,實現(xiàn)效率超高的功率變換。

    此外,由于閾值電壓超過了5伏,新款設(shè)備在惡劣的EMI(電磁干擾)環(huán)境中也能很好地工作。

    VisIC Technologies已經(jīng)憑借其半橋(Half Bridge)演示電路板的強大性能,展示了其所創(chuàng)造的全球紀錄——在輸出功率達2.5KW的硬切換拓撲中,頻率達200kHz時,最高效率超過99.3%。

    VisIC 開關(guān)器件 V22S65A/V22N65A

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