2017年9月28日，中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯交所股票代碼：981），世界領先的集成電路晶圓代工企業之一，中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業，與中興微電子，全球領先的綜合通信芯片提供商，今日共同發布中國大陸首顆自主設計并制造的基于蜂窩的窄帶物聯網（NB-IoT）商用芯片RoseFinch7100。該芯片基于中芯國際55納米超低功耗+射頻+嵌入式閃存（55nm ULP+RF+eFlash）工藝平臺制造，可廣泛應用于無線表計、共享單車、智慧家電、智慧城市、智慧農業等多個物聯網行業和領域。
中芯國際55nm ULP+RF+eFlash工藝是專門針對超低功耗物聯網應用開發的技術平臺，基于穩定成熟的55納米邏輯及混合信號工藝，通過工藝改進和器件性能提升，將核心工作電壓降低30%，動態功耗降低45%，靜態功耗降低70%，SRAM 漏電大幅降低，并兼容射頻工藝、嵌入式閃存工藝，以及配備完整的IP解決方案。相比其它工藝節點，中芯國際55nm ULP+RF+eFlash工藝能更好地平衡NB-IoT對于低待機功耗和小封裝尺寸的嚴苛要求，是系統級低功耗物聯網芯片設計的可靠平臺。
基于中芯國際55納米完整的超低功耗工藝技術平臺，以及中興微電子強大的設計能力，此次商用的NB-IoT系統級芯片Rose Finch7100專為低功耗廣域物聯網而設計，睡眠功耗2uA，在每日收發一次的條件下睡眠功耗占比為16%；此外Rose Finch7100為單芯片設計，外圍極簡，支持R14全頻段，擁有云芯一體全局安全性能，以及開放的應用架構。
“很高興此次能夠與中興微電子密切合作，共同推進NB-IoT芯片在中國大陸的自主設計、制造以及商業化進程。這一成果填補了中國市場的空白，也符合中芯國際的物聯網技術發展戰略。”中芯國際全球銷售及市場執行副總裁Mike Rekuc表示，“中芯國際55納米技術平臺集成了超低功耗、射頻以及嵌入式閃存工藝，因此特別適用于NB-IoT及其他物聯網技術的芯片產品，能夠很好地滿足客戶對功耗及性能的需求。”
“中芯國際的強大制造能力有效保障了中興微電子新一代物聯網NB-IoT芯片RoseFinch7100 按期商用，從測試的情況看，芯片的功能與性能達到了預期要求。在睡眠功耗、截止電壓和外圍接口數量等與物聯網應用關聯的核心指標上，都在業界處于領先水平，低成本低功耗優勢明顯。”中興微電子副總經理龍志軍表示，“該芯片將進一步掀起物聯網行業的深度變革。同步發售的將還有數個行業合作伙伴的首款NB-IoT商用產品。該款芯片處于業界第一陣營，商用時間對標中國三大運營商的商用路演時間，有效支撐廠家卡位產品上市的最佳時間窗。”
