VisIC Technologies Ltd公司，汽車高壓應(yīng)用氮化鎵（GaN）器件的全球領(lǐng)導者，自豪地宣布其新的低導通電阻產(chǎn)品發(fā)布。針對電動汽車逆變器應(yīng)用，此款產(chǎn)品將有助于提高電機控制器效率，降低整機制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是支持客戶和改進電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的持續(xù)努力中的又一步驟。
8毫歐姆 D3GaN 功率開關(guān)管
“與VisIC上一代產(chǎn)品相比，V8 產(chǎn)品將當前功率提高了一倍，電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動汽車應(yīng)用客戶改進其逆變器系統(tǒng)，在尺寸、功率和成本方面更高效地實現(xiàn)設(shè)計目標。V8 產(chǎn)品是我們長期努力提供基于 D3GaN 技術(shù)更好解決方案的又一進步。新產(chǎn)品的改進工作是和我們領(lǐng)先的客戶密切合作完成的，為電動汽車的核心電氣驅(qū)動系統(tǒng)帶來有意義的改進，高功率牽引逆變器應(yīng)用也可以此實現(xiàn)更高的功率密度。”VisIC市場營銷高級副總裁蘭·索弗先生補充說。
新產(chǎn)品的額定參數(shù)為 8毫歐姆、650伏特、200安培，與同類 IGBT 或 SiC 器件相比，在相同電流范圍內(nèi)可實現(xiàn)顯著降低的開關(guān)損耗。客戶可以將該新產(chǎn)品集成到分立封裝和功率模塊設(shè)計中。這項新技術(shù)可節(jié)省功率損耗，特別是在大電流電動汽車逆變器系統(tǒng)的功率循環(huán)測試中。
與現(xiàn)有的硅晶圓技術(shù)相比較，對于寬禁帶器件SiC和GaN來說，制造更大電流的裸芯片非常有挑戰(zhàn)。由于D3 GaN平臺的精心設(shè)計，以及VisIC公司制造合作伙伴臺積電的卓越制造，使得200安培 GaN功率晶體管的突破成為可能。這一突破將使電動汽車受益于GaN的高效技術(shù)，實現(xiàn)更具成本效益的電動汽車設(shè)計，助力于更綠色和清潔的地球。
