SK海力士將向英偉達供應業界首款HBM3 DRAM

    2022-06-09 11:16 來源:美通社 作者:電源網

    首爾2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士(或稱公司www.skhynix.com宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM


    * HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存,其數據處理速度大幅領先于傳統 DRAMHBM3 DRAM 是第四代 HBM 產品,此前三代分別為 HBM(第一代)、HBM2(第二代),以及 HBM2E(第三代)。

    SK海力士于去年十月宣布成功開發出業界首款 HBM3 DRAM,時隔七個月即宣布開始量產,這有望進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位。


    隨著人工智能和大數據等尖端技術的加速發展,全球主要科技企業正在探索創新方法,以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統 DRAMHBM 在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢,有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。

    英偉達(NVIDIA)在近日完成了對 SK海力士 HBM3 樣品的性能評估。SK海力士將向英偉達系統供應 HBM3,而該系統預計將在今年第三季度開始出貨。SK海力士也將按照英偉達的計劃,在今年上半年增加 HBM3 產量。

    備受期待的英偉達 H100 被認為是當前全球范圍內最大、性能最強的加速器。SK海力士的 HBM3 帶寬可達 819GB/s,有望增強加速計算的性能。這個帶寬相當于能夠在每秒傳輸 163 部全高清(Full-HD電影(每部影片約 5GB)。

    SK海力士社長(事業總管)盧鐘元表示,與英偉達的緊密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市場穩獲一流的競爭力。“我們的目標是通過持續、開放式協同合作,成為洞悉和解決客戶需求的解決方案提供商(Solution Provider)。

    關于SK海力士

    SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn

    SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM

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