近五年之內，一些新型的非易失性存儲器技術如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現，但達到出色市場量產業績的只有 FRAM。那么現如今FRAM在中國的應用進展如何?在哪些更多的應用領域正在取代傳統的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢?
在日前于上海、北京、深圳三地巡回舉辦的2013富士通半導體MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會上，來自日本的華裔存儲器專家、富士通半導體系統存儲器事業部市場部產品高級經理馮逸新在演講開場白中即提到：“我16年前留學日本并一直工作生活在那里，這十幾年我深刻地感受到了中國經濟的巨大變化，比如中國已超過日本成為第二大經濟實體，不久將趕上美國，而中國也已成為日本的第一大經濟伙伴，中國也已成為富士通集團全球最大的市場，而富士通FRAM鐵電存儲器的最大市場也是在中國!”
圖1：富士通半導體2013 FRAM鐵電存儲器技術研討會現場
富士通FRAM的優勢
有數據顯示，從1999截至2013年6月，富士通的FRAM鐵電存儲器產品累計交貨已達23億片，而具有非易失性、低功耗 、高速燒寫 、高讀寫耐久性(一萬億次以上)、隨機存取等正是FRAM脫穎而出的競爭優勢。
與傳統的非易失性存儲器如EEPROM相比，富士通FRAM的優勢主要體現在高速燒寫(40,000 倍)、高耐久性(1,000,000 倍 )和低功耗(1/1,000 )等方面。高速燒寫可確保實時存儲，可幫助系統設計者解決實時存儲數據和幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題;高耐久性的特點，可以實現頻繁記錄操作歷史和系統狀態;低功耗主要指寫入時不需要高電壓。 這些優勢使得FRAM越來越多地被需要高可靠性的應用領域所采用，比如計量儀表(三相電表以及水表、氣表等)、電力自動化、醫療器械及醫療電子標簽、汽車后裝設備、POS機/金融ATM機等等。
馮逸新在演講中表示：“FRAM從性能和實用性、量產經驗等幾個方面都是在新型非易性失存儲器領域占絕對優勢地位的。當您在FRAM、MRAM、ReRAM、nvSRAM 、PRAM之間猶豫的時候，我非常自信地推薦大家采用FRAM。”
富士通FRAM的前世今生
很多人恐怕不知道，迄今為止富士通半導體與FRAM有著14年的淵源和供貨歷史!自1999年開始到2010年之前，作為當時排名前五大半導體公司的富士通半導體一直在為Fabless公司Ramtron(2012年被CYPRESS收購)做單體存儲器的量產晶圓代工。到了2010年雙方的合作因戰略方向變化而終止。2010年后，富士通半導體應用獨自開發的先進工藝技術繼續開發,生產,并在全球全面推廣銷售FRAM單體存儲器直至現在。
“我們當時做了兩個戰略上的轉移：基于單體FRAM存儲器業務與Ramtron代工合作關系,我們為日本國內一些客戶開發了一些256k、1M和2M存儲器產品，并沒有在全球推廣.。我們把業務重點放在為一些頂級的復印機廠商定制集成了FRAM的LSI上,這個產品是用以防止假冒墨盒的泛濫，這一塊占了我們當時業務的很大比例。與Ramtron代工合作結束后，富士通半導體就正式向全球推廣自己的FRAM產品, 短短三年內從當時的三種發展到現在的17種，這大多是根據中國市場的需求而開發的。目前中國市場的銷售額在全球FRAM業務銷售額中超過50%。”馮逸新介紹道。
由于控制著FRAM的整體開發和量產及組裝程序，加上多年的經驗，富士通半導體因而能始終保證FRAM產品的高質量和穩定供應。富士通半導體還在低功耗制造工藝上不斷創新，進一步降低成本價格，實現大容量化。
至于具體的產品系列，下圖顯示了截至2013年5月富士通半導體FRAM單體存儲器的產品系列情況，可按接口類型分為三類：串行I2C接口、串行SPI和并行接口產品。采用串行接口的FRAM替代E2PROM或串行閃存，而采用并行接口的FRAM產品可以代替低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)。可以看到，該公司的FRAM覆蓋的容量從4Kb到4Mb，非常寬泛，并已在著手研發8Mb產品，逐步實現大容量化。
