IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。

在5月23日的IMEC技術(shù)論壇上，英特爾技術(shù)制造副總裁兼IMFT聯(lián)席CEO Keyvan Esfarjani 透露了一些對(duì)3D NAND的看法。目前的非易失性NAND的Cell單元還是2D排列的，新的3D堆棧NAND將以GAA(Gate All Around)的結(jié)構(gòu)形式將傳統(tǒng)的2D Cell單元垂直排列起來。

目前東芝在3D NAND閃存上的研究處于領(lǐng)先地位，在過去的幾年?yáng)|芝展開了多次學(xué)術(shù)會(huì)議。去年年底他們宣布了基于一個(gè)50nm寬的垂直通道上集成的16層NAND單元，今年開始出樣，2015年投入量產(chǎn)，東芝的p-BiCS技術(shù)將晶體管以U形排列。

Esfarjani表示，2D NAND Flash目前仍然存在比例限制，在他播放的幻燈片中，其中有一頁(yè)指出2D NAND閃存可以擴(kuò)展到兩個(gè)節(jié)點(diǎn)在15nm和10nm，而且3D堆棧工藝很可能產(chǎn)生于15nm節(jié)點(diǎn)，此外，Esfarjani還指出，目前16層的3D NAND在成本上還不能顯示出成本優(yōu)勢(shì)，需要64層堆棧，至少也要達(dá)到32層的水平才行。

IMFT在20nm工藝節(jié)點(diǎn)使用了浮柵高K金屬柵極Cell結(jié)構(gòu)(floating-gate high-K metal gate)取代了34nm及25nm工藝使用的環(huán)繞式Cell結(jié)構(gòu)(wrap-around)，2012年時(shí)IMFT就展示過了128Gbit容量的 NAND閃存，美光的M500SSD固態(tài)硬盤使用的就是128Gbit 的NAND。

Esfarjani還指出，“過渡到3D不局限于光刻技術(shù)，40納米直徑半導(dǎo)體通道也可以實(shí)現(xiàn)，主要的問題在于計(jì)量和尋找能夠承受多層半導(dǎo)體處理溫度和能夠在垂直通道中實(shí)現(xiàn)高縱橫比刻蝕的材料，而且必須要控制在一個(gè)精準(zhǔn)的89.8錐度。”

Esfarjani最后指出，“NAND市場(chǎng)將一直存在且持續(xù)增長(zhǎng)，2D NAND將持續(xù)浮柵工藝，3D則將帶領(lǐng)我們超越10納米的限制。”