北京時間6月13日消息，據國外媒體報道，英特爾技術研發團隊表示，通過三門(tri-gate)晶體管及其他系列新技術，將有助于進一步壓縮晶體管體積，進而開發出下一代高處理能力芯片。
英特爾技術研發人員稱，憑借三門絕緣、高介電值雙電子(high-k gate dielectrics)、金屬電極及應變硅(strained silicon)等新技術，公司在進一步壓縮晶體管體積的同時，還可進一步提高處理性能并防止電流泄漏。英特爾部件研發和技術部門主管兼制造部門副總裁邁克
