IDT最新壓電式MEMS振蕩器:10/40G以太網看過來

    2013-11-08 14:12 來源:互聯網 作者:洛小辰

    近日,IDT 推出最新4H系列MEMS振蕩器,具有出色的可靠性和精度,可在萬兆(10G/40G)以太網應用中替代傳統的晶振。

    據IDT公司總經理Harmeet Bhugra介紹,與石英晶振相比,4H系列MEMS振蕩器的可靠性要高出40倍。它具有零擾動,我零時故障,我靜摩擦問題,并且具有高抗沖擊和振動性能。在萬兆以太網應用中,4H系列MEMS振蕩器的典型相位抖動是100 飛秒(0.1皮秒),輸出頻率可修改范圍達到±1000 ppm,可降低高性能萬兆以太網和網絡應用的誤碼率,是替代石英晶振的理想選擇。

    這款產品支持LVDS/LVPECL/CMOS的輸出。它可滿足小尺寸(3.2×2.5mm)的封裝,頻率可以高達625MHz,工作溫度范圍可達-40度至85攝氏度。

    4H系列的產品基于IDT公司的pMEMS(壓電MEMS)技術。IDT公司為這項技術已經獲得或者即將待定的專利有40項。

    與石英產品一樣,pMEMS振蕩器是無源的,即不需要外部電源,而電容式MEMS振蕩器是有源的。壓pMEMS支持更高的固有頻率,具有更好的噪音的性能。因為它是基于壓電技術,所以pMEMS振蕩器也沒有靜摩擦的問題,不會造成穩定性的方面的一些故障。

    IDT公司的首款pMEMS振蕩器是2012年5月推出的,稱作4M系列(M代表MEMS)。2013年2月,該公司又推出了具有4個頻率輸出的增強型4E系列pMEMS振蕩器。目前的4H系列為高性能版本,最適合高端通信應用需求。

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