東芝公司宣布開發出一種帶MIPI?RFFE[2]接口的SP10T[1]射頻天線開關，其插入損耗[3]堪稱智能手機市場業界最低[4]，尺寸堪稱業界最小。該產品即日起交付樣品。
新產品運用了“TaRF5”—一種采用絕緣硅(SOI)技術[6]打造的新一代TarfSOI?(東芝先進的RF SOI)[5]工藝。相較于采用TaRF3工藝打造的產品而言，采用TaRF5工藝打造的新樣品的插入損耗(f=2.7GHz)改善了25%，尺寸縮小了40%。這些改進可延長電池工作時間，縮小安裝空間，還有助于縮小應用產品的尺寸。
自從2009年為智能手機射頻天線開關開發SOI-CMOS工藝以來，東芝已經相繼開發出了可改善性能的新一代工藝和設備。隨著LTE和LTE-Advanced[7]相繼在全球獲得采用，市場對射頻天線開關的需求也傾向于多端口與復雜功能。為滿足這些市場需求，東芝計劃繼續開發低插入損耗、小尺寸的產品。
注：
[1]：單刀十擲開關。
[2]：MIPI Alliance, Inc.開發的射頻前端接口。MIPI是MIPI Alliance, Inc.的注冊商標。
[3]：電流從射頻電路的一個終端進入另一個終端時發生的電力損耗，以分貝表示。
[4]：射頻天線開關市場。(截至2013年10月8日。東芝調查。)
[5]：TarfSOI?是東芝公司的商標。
[6]：該技術在MOSFET通道內形成了一層絕緣膜并降低雜散電容，從而改善CMOS LSI的速度和省電情況。
[7]：3GPP標準制定組織制定的新通信標準。ITU界定的第四代移動通信系統中的一個。
