意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)支持和服務(wù)的副總裁Philippe Magarshack說(shuō)：“就FD-SOI本身而言，F(xiàn)D-SOI配備了ASIC和SoC設(shè)計(jì)工具，從而實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能的同時(shí)確保溫度不超過(guò)安全限制。而且較傳統(tǒng)制造技術(shù)，F(xiàn)D-SOI技術(shù)可在大幅提升性能的同時(shí)大幅降低功耗，因此ST-Ericsson選擇采用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)設(shè)計(jì)未來(lái)的移動(dòng)平臺(tái)。“
Memoir Systems作為第三方知識(shí)產(chǎn)權(quán)進(jìn)一步表示：“我們正在讓FD-SOI更具吸引力，并演示其簡(jiǎn)單的移動(dòng)特點(diǎn)。“
意法半導(dǎo)體ST將是FD-SOI技術(shù)的第一個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)商。作為其獨(dú)有的 FD-SOI技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。同時(shí)，F(xiàn)D-SOI是一種擴(kuò)展和簡(jiǎn)化現(xiàn)有平面、體硅制造方法的新技術(shù)。而FD-SOI晶體管相比同等采用傳統(tǒng)CMOS工藝的晶體管，擁有更高的制造過(guò)程工作頻率，這源于FD-SOI技術(shù)提高了晶體管的靜電特性、縮短了溝道長(zhǎng)度。
Memoir首席執(zhí)行官Sundar Iyer說(shuō)：“內(nèi)存技術(shù)的不斷突破縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間，也提高了設(shè)計(jì)性能，這使我們的算法內(nèi)存技術(shù)有能力內(nèi)嵌入FD-SOI晶體管，這對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種承諾，這對(duì)我們和我們的客戶都是很重要的。期待FD-SOI技術(shù)更高性能突破，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。”
